ILD217T
Kirjeldus
Tehnilised parameetrid
Seotud tooted:
|
Tootja osa |
ILD217T |
|
Kirjeldus |
OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS |
|
Varud |
80000 |
|
Toote olek |
Aktiivne |
|
Pinge – isolatsioon |
3750 Vrms |
|
Praegune ülekandesuhe (min) |
100% @ 1mA |
|
Praegune ülekandesuhe (maksimaalne) |
- |
|
Sisse-/väljalülitamise aeg (tüüp) |
3µs,3µs |
|
Sisendtüüp |
DC |
|
Väljundi tüüp |
Transistor DC |
|
Pinge – väljund (max) |
80V |
|
Praegune – väljund / kanal |
- |
|
Pinge – edasi (Vf) (tüüp) |
1.3V |
|
Vool – alalisvoolu edasi (kui) (maksimaalne) |
60 mA |
|
Töötemperatuur |
-55 kraadi ~ 110 kraadi |
|
Pakend / ümbris |
SOP8 (3,9 x 1,27) |
|
pakett |
Lint ja rull (TR) |
Üldine kirjeldus:
ILD217T on optiliselt ühendatud paarid GaAs infrapuna LED-i ja räni NPN fototransistoriga. Signaaliteavet, sealhulgas alalisvoolu taset, saab seade edastada, säilitades samal ajal sisendi ja väljundi vahel suure elektriisolatsiooni. ILD217T on saadaval standardses SOIC-8 väikeses kontuuripakendis pinnale paigaldamiseks, mis muudab selle ideaalselt sobivaks suure tihedusega rakenduste jaoks piiratud ruumiga. Lisaks läbivate aukude nõuete välistamisele vastab see pakett ka pinnale paigaldatavate seadmete standarditele.
Kõrge BVCEO 70 V annab kõrgema ohutusvaru võrreldes tööstusharu standardiga 30 V.
Kuum tags: ild217t, Hiina ild217t tootjad, tarnijad
Paari
ILD2-X007TJärgmise
ILD213TKüsi pakkumist
Ju gjithashtu mund të pëlqeni
