6N136S-TA1

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

Küsi pakkumist

Kirjeldus

Tehnilised parameetrid

Seotud tooted:

Tootja osa	6N136S	6N136S-TA	6N136S-TA1	6N136S-TA1-L	6N136STA1-V	6N136STA1-VL
Kirjeldus	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS
Varud	80000	80000	80000	80000	80000	80000
Toote olek	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne
Pinge – isolatsioon	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms	5000 Vrms
Praegune ülekandesuhe (min)	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA
Praegune ülekandesuhe (maksimaalne)	50% @ 16mA	50% @ 16mA	50% @ 16mA	50% @ 16mA	50% @ 16mA	50% @ 16mA
Sisse-/väljalülitamise aeg (tüüp)	100ns, 400ns	100ns, 400ns	100ns, 400ns	100ns, 400ns	100ns, 400ns	100ns, 400ns
Sisendtüüp	DC	DC	DC	DC	DC	DC
Väljundi tüüp	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor
Pinge – väljund (max)	20V	20V	20V	20V	20V	20V
Praegune – väljund / kanal	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA
Pinge – edasi (Vf) (tüüp)	1.4V	1.4V	1.4V	1.4V	1.4V	1.4V
Vool – alalisvoolu edasi (kui) (maksimaalne)	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA
Töötemperatuur	-40-C ~ 85-C	-40-C ~ 85-C	-40-C ~ 85-C	-40-C ~ 85-C	-40-C ~ 85-C	-40-C ~ 85-C
Pakend / ümbris	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)
pakett	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)

Rakenduss:

• Kõrgepinge isolatsioon

• isolatsioon liinivastuvõtjates

• Tagasiside element lülitusrežiimi toiteallikas

• Jõutransistori isolatsioon mootoriajamites

• Mikroprotsessorsüsteemi, arvuti ja nende välisseadmete liides

• Vahetage impulsstrafod.

• Vahetage aeglasemad optroni isolaatorid.

Üldine kirjeldus:

6N135/6 koosneb suure tõhususega AlGaAs valgusdioodist ja kiirest optilisest detektorist. See disain tagab suurepärase vahelduv- ja alalisvoolu isolatsiooni optroni sisendi ja väljundi vahel. Fotodioodi eelpinge ühendus parandab tavapärase fototransistori siduri kiirust, vähendades baaskollektori mahtuvust. Sisemine varjestus tagab kõrge ühismoodilise siirdehäirekindluse. Garanteeritud ühismoodiline siirdekindlus on kuni 1kV/μsek.

Kuum tags: 6n136s-ta1, Hiina 6n136s-ta1 tootjad, tarnijad

Paari

CNY17-1S-TA1

Järgmise

6N135S-TA1

Küsi pakkumist

Ju gjithashtu mund të pëlqeni