6N136-X007T

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 8DIP

Küsi pakkumist

Kirjeldus

Tehnilised parameetrid

Seotud tooted:

Tootja osa	6N136-X007	6N136-X007T	6N136-X009	6N136-X009T	6N136-X017	6N136-X017T	6N136-X019	6N136-X019T
Kirjeldus	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS	OPTOOSUR, FOTOTRANSISTOR VÄLJAS
Varud	80000	80000	80000	80000	80000	80000	80000	80000
Toote olek	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne	Aktiivne
Pinge – isolatsioon	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms	5300 Vrms
Praegune ülekandesuhe (min)	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA	19% @ 16mA
Praegune ülekandesuhe (maksimaalne)	-	-	-	-	-	-	-	-
Sisse-/väljalülitamise aeg (tüüp)	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns	200ns, 200ns
Sisendtüüp	DC	DC	DC	DC	DC	DC	DC	DC
Väljundi tüüp	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor	1 MB transistor
Pinge – väljund (max)	15V	15V	15V	15V	15V	15V	15V	15V
Praegune – väljund / kanal	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA	8mA
Pinge – edasi (Vf) (tüüp)	1.33V	1.33V	1.33V	1.33V	1.33V	1.33V	1.33V	1.33V
Vool – alalisvoolu edasi (kui) (maksimaalne)	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA	25 mA
Töötemperatuur	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C	-55-C ~ 100-C
Pakend / ümbris	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)	SMD8 (7,62 mm)
pakett	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)	Lint ja rull (TR)

Üldine kirjeldus:

6N135 ja 6N136 on GaAIAs infrapuna kiirgava dioodiga optronid, mis on optiliselt ühendatud integreeritud fotodetektoriga, mis koosneb fotodioodist ja kiirest transistorist DIP-8 plastpakendis.

Signaale saab edastada kahe elektriliselt eraldatud ahela vahel kuni 2 MHz sagedusega. Ühendatavate ahelate potentsiaalide erinevus ei tohiks ületada maksimaalseid lubatud tugipingeid.

Kuum tags: 6n136-x007t, Hiina 6n136-x007t tootjad, tarnijad

Paari

ILQ621-X007T

Järgmise

6N135-X007T

Küsi pakkumist

Ju gjithashtu mund të pëlqeni